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全真空互联型MoCVD/MBE集成设备

国产高端半导体材料生长设备，对标爱思强（AIXTRON）核心技术，专为化合物半导体研发与量产设计，支持 MoCVD与MBE系统真空互联，实现衬底无污染高效传输，覆盖科研与工业双重需求。

应用于工业领域、大功率LED芯片外延射频器件（HEMT）量产、光伏薄膜电池沉积等领域。

技术规格

外延设备性能指标
单炉容量	可选： 19X2” 15X4” 8X6”5X8”
衬底类型	蓝宝石、GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）、硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）
外延生长指标	生长速率：1-4um/小时
温度均匀性	<±3℃（在1000℃时）
温度控制范围	100～1200℃
升温速率	0.5℃-3℃/s连续可调
压力控制范围	20-760 Torr连续可调,精度：3 Torr
反应室设计	采用耐高温、耐腐蚀的优质材料
衬底转速	0-1500转/分钟连续可调
真空气密性	管路系统漏气率<1×10-9 Pa·L/S
真空气密性	反应室漏气率<3×10-9 Pa·L/S

关键技术突破
真空互联技术	自主设计过渡腔体，实现MoCVD与MBE系统全流程真空环境衔接，避免衬底氧化污染
双温区反应腔	立控温模块，支持 GaN、Ga₂O₃、2D材料等多种工艺切换，研发效率提升40%
工业级可靠性	模块化结构设计，全年无故障运行＞8000小时，量产良率≥99.5%

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