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ALD R200T 全自动原子层沉积系统

原子层沉积系统是一种用于在基底表面精确沉积薄膜的先进设备，利用原子层沉积（ALD）技术，通过交替引入不同的化学气相前驱体，在基底表面进行自限制的化学反应来逐层沉积形成薄膜。具有高度精确的厚度控制、优异的均匀性、良好的保形性、低温沉积能力、材料多样性等特点。

技术规格

项目	参数指标
基片尺寸	8英寸兼容以下尺寸
衬底类型	Si、LN、LT、SiC、GaAs、GaN， et al
样品传输	Cassette晶圆盒，全自动大气机械手臂自动传送+样品cooling台
样品温度	50~300℃，温度控制精度±0.5℃，样品温度均匀性±2℃@200℃
前驱体源路数	4路前驱体源，含2路加热源和1路水源，可选配臭氧和氨气系统
ALD阀	Swagelock快速高温ALD专用阀，耐温200℃，响应时间10ms
载气系统	高精度氮气质量流量计控制的全独立吹扫系统
控制系统	基于Windows10的触摸屏操作系统，可对接MES系统
系统极限真空	≤20mtorr（配置干泵）
系统漏率	≤510-10 Pam3/s（标准氦气检漏）
沉积非均匀性	≤±1%@20nm Al2O3
沉积材料	氧化物：Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、SiO2、ZnO、SnO2 et al；
沉积材料	氮化物：AlN、TiN、TaN，SiN et al；